协昌科技(301418.SZ)：目前已搭建沟槽型MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结MOSFET及IGBT四个研发平台

当前位置：金融情报局网_中国金融门户网站让金融财经离的更近>资讯 > 头条 > 正文　 2023-08-25 23:58:58　来源：格隆汇

(资料图片仅供参考)

格隆汇8月25日丨有投资者向协昌科技(301418.SZ)提问，“请问贵司有研发芯片吗？”

协昌科技回复称，公司全资子公司凯思半导体专利从事功率芯片产品的研发和销售，公司目前已经搭建了沟槽型 MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结 MOSFET 及 IGBT 四个研发平台，拥有了较为完整的产品线布局。

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