有研半导体硅材料股份公司(下称“有研硅”)回复科创板IPO首轮问询。
图片来源：上交所官网
在科创板IPO首轮问询中，上交所主要关注有研硅控股股东、其他股东、参股公司、产品和市场空间、核心技术和市场地位、客户、生产、固定资产和在建工程、毛利率、研发费用、募投项目等20个问题。
关于产品和市场空间，上交所要求发行人：(1)结合半导体区熔硅单晶产品销售收入、研发和生产涉及的核心技术、产品先进性水平等，说明将半导体区熔硅单晶作为主要产品的合理性;(2)结合不同尺寸半导体硅抛光片的技术参数、应用领域差异等，说明下游市场范围的重合情况和技术迭代关系;12英寸半导体抛光片的研发进展和产业化情况，12英寸产品是否代表未来发展趋势;(3)下游应用市场销售规模和客户出货量与发行人6英寸、8英寸半导体抛光片销售收入变动情况的匹配关系;(4)刻蚀设备硅材料领域，公司主要销售尺寸产品在技术发展和产品迭代趋势中的具体地位;(5)发行人主要产品与国内外同类产品在关键性能指标上的对比情况，相关产品在市场竞争中的优劣势;(6)发行人对主要产品的未来发展战略规划情况。
有研硅回复称，区熔硅单晶是重要的半导体硅材料。直拉硅单晶在制造过程中多晶会与石英坩埚等物质接触，而这正是单晶内金属沾污及氧的主要来源。但区熔硅单晶在其制造过程中，硅多晶不会与除惰性保护气体外的任何物质接触，故区熔硅单晶具有高纯度、高电阻率、低氧含量等优点，是制造高压整流器和晶体管等大功率器件，探测器、传感器等敏感器件，微波单片集成电路(MMIC)、微电子机械系统(MEMS)等高端微电子器件的核心材料，广泛应用于雷达、微波通讯、测控、导航、医学等领域，对国民经济的发展和国防建设具有十分重要的意义。
报告期内，发行人半导体区熔硅单晶产品销售收入分别为1,460.19万元，928.97万元，1,785.95万元，1,395.89万元，占主营业务收入的比例分别为2.13%、1.53%、3.47%和4.12%。报告期内半导体区熔硅单晶产品销售收入占主营业务的收入比例不高，但国内具备半导体区熔硅单晶产品研发和生产能力的企业为数不多，除了发行人外，仅有中环领先半导体材料有限公司。
在我国，区熔产品目前市场需求较小，大部分国际市场份额被日本信越、日本Sumco、德国世创等国外企业占据，特别是在代表先进技术水平的大尺寸区熔硅单晶领域，目前还主要依赖进口。
有研硅是国内最早开展研制区熔硅单晶的骨干单位之一。从20世纪60年代起，有研硅相继研制成功并批量生产销售2-6英寸区熔硅单晶及硅片等产品。鉴于过去区熔产品国际国内市场规模小，公司在区熔产品相关的固定资产及研发投入均较低，使得区熔产品销售规模处于较低水平。
近年来，随着汽车电子、工业电子、物联网等应用领域的快速发展，对区熔硅单晶及区熔硅抛光片的需求有明显增加趋势，为了满足市场需求，公司加大了区熔产品的研发投入，并积极开拓市场，截至目前成效明显。其中，6英寸区熔中照硅片产品、6英寸气掺硅片产品于2021年分别通过了西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司、无锡中微晶圆电子有限公司的认证，开始批量供货。2021年1-6月，公司半导体区熔硅单晶收入1,395.89万元，与2020年全年1,785.95万元相比已有较大幅度增长。公司预计未来几年，区熔硅单晶产品销售收入及利润有望继续上升。
公司在区熔硅单晶领域拥有多项核心关键技术，自主研发的超高纯区熔硅单晶拉制技术、气相掺杂区熔硅单晶拉制技术及自动放肩技术等处于国内领先水平，且均已应用于产品产业化，对国内区熔硅单晶的量产产生了积极影响。
其中，超高纯区熔硅单晶拉制技术应用，使得区熔硅单晶产量增长明显，由2018年的7.8吨提升到2021年的22.1吨;气相掺杂区熔硅单晶拉制技术的应用使得气掺区熔硅单晶占比大幅提升，由2018年的5.8%提升到2021年的48.1%;自动放肩技术的研发成功，使得5英寸及以上区熔硅单晶的占比由2018年的27%提升到2021年的59%。以上技术的开发和应用，增强了公司区熔产品的市场竞争力，拓展了市场渠道，为公司进一步发展区熔产品提供了有利支撑。
不同于直拉硅单晶产品，区熔硅单晶的技术有其特殊性，全球具备量产能力的企业只有少数几家，包括德国的瓦克、丹麦的TOPSIL等，国内亦仅有中环股份、有研硅等少数企业。
区熔硅单晶制备的核心技术和难点主要体现在：(1)区熔硅单晶的生产方式决定了其实现全自动生长难度极大，对工程技术人员的熟练度有很高的要求;(2)区熔硅单晶产品主要用于高压器件，对硅单晶的纯度要求有很高的要求，区熔单晶生产过程中的原料准备、单晶拉制、后道加工等需要严格的洁净管理，全过程沾污管控难度大;(3)区熔气相掺杂方式决定了其掺杂浓度控制、掺杂均匀性控制难度更大，区熔气掺产品的电阻率要实现较高程度的均匀性相对直拉产品难度大;(4)区熔单晶拉制过程中的加热方式决定了其生产大直径单晶难度极大，目前区熔国际上最大直径为8英寸，而直拉方法可以做到18寸以上。
近年来，通过不断对核心技术的研发投入，公司区熔硅单晶技术取得明显进展，已经实现6英寸产品品种的全覆盖，成为国内区熔硅单晶产品的重要供应商。与此同时，公司已经布局8英寸区熔硅单晶的研发和产业化，作为公司未来重要的产业方向，以满足下游客户的需求。公司本次发行的部分募集资金拟投入到位于北京市顺义区的区熔硅单晶研发生产基地，提升区熔硅单晶技术能力，不断满足下游客户的需求，公司半导体区熔硅单晶的销售规模将会持续增加，因此将半导体区熔硅单晶作为主要产品具有合理性。
发行人参股公司(山东有研艾斯半导体材料有限公司)关于12英寸的研发工作持续开展，目前已完成28nm集成电路用硅抛光片的研发，具备1万片/月的产能的供货能力。与此同时，产业化的生产线已开始厂房建设及设备采购工作，预计2023年新工厂可以投入使用。
12英寸硅片经历了技术突破到市场占有率逐渐上升，再到成为主流的演变过程。自2000年全球第一条12英寸芯片制造生产线建成以来，12英寸半导体硅片市场需求增加，出货面积不断上升。2008年，12英寸半导体硅片出货量首次超过8英寸半导体硅片;2009年，12英寸半导体硅片出货面积超过其他尺寸半导体硅片出货面积之和。
2000年至2018年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展，12英寸半导体硅片市场份额从1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成为半导体硅片市场最主流的产品。2016至2018年，由于人工智能、区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，12英寸半导体硅片出货面积年均复合增长率为8.36%。据SEMI统计，2020年，12英寸硅片和8英寸硅片市场份额分别为69.15%和23.94%，两种尺寸硅片合计占比连续两年超过90%。
全球集成电路先进制程芯片大部分在12英寸硅片衬底材料上制作，总体而言，12英寸硅片代表未来主流趋势，但如前文所述，由于投资成本影响等因素，在大功率高电压芯片产品、汽车电子、工业控制等领域，8英寸产品具备明显优势，并且下游对8英寸产品的需求总量仍处于增长态势，8英寸产品占比也始终保持在25%以上的比例。在未来相当长的时间内8英寸与12英寸硅片将会一直共存。
关于研发费用，上交所要求发行人说明：(1)主要研发项目整体预算较高的原因，已实现的研发成果及未来拟实现研发目标;各研发项目的预算及实际支出情况，是否存在较大差异;RSTechnologies成为实际控制人后新增研发项目情况;(2)新产品及工艺技术研发中心人员的研发活动与生产活动如何划分，研发工时如何进行统计及核算;研发人员的学历、专业构成情况;公司研发活动的主要实施地点，报告期内生产基地搬迁对研发人员的影响;(3)报告期内材料费投入明细，2020年新增研发项目的具体情况;是否存在将研发过程产生的硅单晶棒等投入生产活动的情况;研发活动形成的废料比较高是否与行业特征相符;(4)研发设备与生产设备是否能明确区分，是否存在研发活动与生产活动共用生产线的情况，相关设备工时的分摊情况及相关内控措施;水电费金额较大的原因，与生产活动水电费是否能区分。
有研硅回复称，报告期内，发行人主要开展了“集成电路用硅单晶以及抛光片的研制和开发”、“集成电路刻蚀设备精密部件用硅材料的开发”、“大尺寸区熔晶体材料的开发”、“硅材料智能制造系统的开发与应用”和“硅材料标准样品的研制及标准的建立”5个研发课题，其中，部分重点纵向科技项目或其他相对独立的研发项目作为研发课题项下的子项目单列。发行人每年会根据发展战略、行业变化、市场需求及各研发课题的进展情况，更新或设立新的研发内容或单列子项目，其中单列子项目的研发周期通常为1-2年，部分长周期的研发项目按照5年进行规划。
当前，8英寸硅片技术不断延伸并已进入90nm技术水平，集成电路刻蚀设备硅材料向满足7nm及更先进制程发展，特殊应用场景不断对产品提出新的需求，促使发行人必须加大研发投入以保持技术的先进性，不断提升企业的核心竞争力。2020年，发行人启动了“大直径单晶研发”及“高品质8英寸轻掺硅片研发”单列子项目，两个项目对技术延续要求较高，研发周期规划为5年，由于整体研发周期长，涉及的研发领域广，且为地方科技项目，因此整体预算较高，总体预算为2.4亿元。
报告期内，发行人共开展了5个研发课题。报告期内，发行人开展的部分重点纵向科技项目及部分相对独立的研发项目作为了上述研发课题项下的单列子项目。2020年，发行人启动了纵向科技项目“大直径单晶研发”及“高品质8英寸轻掺硅片研发”，总体预算合计2.4亿元，研发周期5年，并作为“集成电路用硅单晶以及抛光片的研制和开发”及“集成电路刻蚀设备精密部件用硅材料的开发”课题下的单列子项目。截至2021年6月30日，该两项单列子项目仍处于项目执行阶段初期，执行时间较短，因此研发投入比例较低，导致发行人研发项目整体预算的投入比例较低。
扣除该两项单列子项目的影响后，报告期内，发行人研发项目整体投入占比约为72.66%，不存在研发预算和投入金额差异较大的情况。
RSTechnologies成为实际控制人后，发行人基于现有核心技术、结合公司发展战略、行业变化、市场需求及各研发课题的进展情况，开展了各项研发活动，新增研发项目主要用于提高直拉硅单晶生长、抛光片加工、刻蚀设备用硅材料加工以及区熔硅单晶生长的技术水平。截至2021年6月30日，发行人共新增研发预算34,703.22万元，实际投入金额为10,923.36万元。
公司生产基地搬迁前，半导体硅抛光片及刻蚀设备用硅材料的相关研发活动主要在北京市北太平庄生产基地开展，半导体区熔硅单晶的相关研发活动主要在北京市顺义区生产基地实施。2020年底，公司将位于北京市北太平庄生产基地的半导体硅抛光片和刻蚀设备用硅材料产线搬迁至山东省德州市，因此自2021年起，公司半导体硅抛光片及刻蚀设备用硅材料的相关研发活动主要于山东德州生产基地实施，半导体区熔硅单晶的相关研发活动仍于北京市顺义区生产基地开展。
公司生产基地搬迁未对公司研发人员稳定产生不利影响。公司新研发生产基地位于山东省德州市高铁站附近，交通方便、周边配套设施及环境良好;同时，新生产基地在设计、规划、建设方面，均采取较高标准，厂区环境及配套生活设施齐全，配备更先进的研发生产设备，能够为研发人员提供良好的生活及工作环境。因此大部分研发人员支持公司产业搬迁，迁至新生产基地从事研发工作，与公司共同发展，仅少数研发人员离职。同时公司在搬迁前后补充部分研发人员以扩大研发队伍，保证了公司研发活动的持续稳定进行。
发行人不存在将研发过程中产生的硅单晶棒投入生产活动的情况。
报告期内，发行人研发费用中材料费占研发费用的比例处于可比公司的合理比例范围内。2020年及2021年1-6月，发行人研发费中材料费的占比上升，主要系2020年公司生产基地搬迁至山东德州后，为增强产品竞争力，加大了特色产品及新工艺的研发力度，因此材料投入占比增加。
虽然发行人同行业可比公司未披露研发产生废料占研发领料的比重情况，故无法进行直接对比，但经同行业内横向比较可见，报告期内发行人研发费用中材料费领用比例与同行业可比公司基本一致，保持较高水平。因此，综合考虑行业内高研发领料的现状，发行人研发过程中形成废料比例较高具有合理性，高研发领料符合行业特征。
关键词： 有研硅科创板IPO首轮问询 有研半导体 参股公司 核心技术
质检
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